IGBT新型節能中頻電源柜

　　IGBT新型節能中頻電源柜的特點：
　?。?）GBT是柵極為MOS構造，同時兼具MOS管高速、輸入阻抗高、易驅動與GTR的通態壓降小、載流密度大、耐壓高、熱穩定性好、雙極晶體管通態壓降低的優點于一身。工作時由于IGBT的電導調制特性，RN減小很多使得IGBT的通態電阻很低，大約為VMOS的十分之一，使得IGBT的功耗很低。從簡化等效電路上看，IGBT相當于是用雙極性晶體管與MOSFET組成的達林頓結構，相當于一個MOSFET驅動的晶體管。因此，IGBT的通態壓降很低，特別是在大電流的情況下更為明顯。而由于IGBT的柵極為MOS構造，因此IGBT的開關損耗與可控硅相比非常低?？煽毓铻閾Q流關斷型，它的門極只能使管子開通，不能使其關斷。管子開通后，門極就失去了控制能力，只能依靠外部換流使流過管子的電流下降為0，或者使管子兩端的電壓反向而關斷。因此可控硅的開關損耗非常高，在較高的頻率下使用效率很低。
　?。?）IGBT電源整流部分由6只二極管擔任，直接整流不斬波，不會導致電網的功率因數下降。串聯諧振電路去掉了龐大而笨重的濾波電抗器，減小了損耗，濾波由電容擔任。變頻電路由4只IGBT模塊構成，IGBT的導通損耗比可控硅低，而關斷損耗大大低于可控硅的開關損耗，因此變頻電流的損耗大約在3%。該電路的功率調節有兩種方式：
　　1、改變變頻電路的工作頻率（變頻），
　　2、改變IGBT的導通時間（調寬）。輸出電路的特征是感應線圈與補償電容串聯構成串聯諧振電路。此電路的特征是流過IGBT的電流與流過感應線圈及補償電容的電流相等，而感應線圈上的電壓是整流后直流電壓的3~10倍（串聯諧振電路的特征是振蕩線圈的電壓是直流電壓的Q倍）。感應線圈上的功率P=感應線圈上的電壓（V）×流過感應線圈的電流（I）。在相同的功率與相同的感應線圈的情況下，串聯諧振感應線圈的損耗最多只有并聯諧振感應線圈的91。因此，串聯諧振輸出電路的損耗約占整機功率的5%-10%，所以串聯諧振變頻的中頻感應加熱設備的整機效率為80%-90%。在串聯諧振電路中，感應線圈上中頻電壓的高低與變頻功率器件的耐壓無關，只要感應線圈的絕緣允許，提高中頻電壓就可以進一步降低感應線圈的損耗，整機效率就會進一步提高，這和輸電為什么要用高壓輸送是一個道理。
　?。?）IGBT串聯感應加熱設備調節功率采用逆變側調節方式，整流電路采用二極管，整流的功率因數為100%，不需要在配電柜中另外配置設備。